物体内部三维位移场分析的数字图像相关方法

提出了物体内部三维位移场的数字图像相关分析方法，对物体变形前后，或连续变形的两个相邻状态的内部三维结构的数字图像，通过相关运算获得三维位移场.文中给出了三维相关法的体搜索窗口、相关函数及亚像素运算的相关系数拟合函数.数字模拟结果证明了三维相关法的正确性及可靠性.位移计算精度为0.02像素. 关键词： 数字图像相关 三维相关 亚像素     

掺入Ni元素的LiCoO2晶体光谱结构及电子顺磁共振g因子

在弱场图像下,利用Racah不可约张量算符方法得到了三角对称3d4/3d6电子组态的210阶可完全对角化的微扰哈密顿矩阵、最近邻点电荷模型晶体结构常量公式和电子顺磁共振g因子公式.研究了LiCoO2晶体和掺入Ni的LiCoO2:Ni晶体中Co3+的基态能级、晶体结构和电子顺磁共振g因子.考虑了LiCoO2晶体和LiCoO2:Ni晶体中自旋单重态和三重态对Co3+基态能级的影响,讨论了LiCoO2晶体和在LiCoO2晶体中掺杂Ni后Co3+局域结构常量大小的变化是引起Co3+的基态能级变化的主要原因,理论和实验都证实了这一点.还计算了掺杂前后的电子顺磁共振g因子,计算结果与实验值符合得较好.     

〈111〉晶向冲击加载下单晶铜中纳米孔洞增长的早期动力学行为

利用分子动力学方法模拟计算了单晶铜中纳米孔洞在沿〈111〉晶向冲击加载下增长的早期过程.测量发现不同加载强度下等效孔洞半径随时间近似成线性变化.观测到单孔洞增长的两种位错生长机理：加载强度较低时，只在沿着冲击加载方向的孔洞顶点附近区域有位错的成核和运动；而随着加载强度超过一定阈值，在沿冲击加载和其垂直方向的孔洞顶点区域都观察到位错的成核和运动.在前一种机理作用下，孔洞只沿加载方向增长；在后一种机理作用下，孔洞同时沿加载和垂直于加载方向增长.分析孔洞表面原子的位移历史，发现沿加载及与其垂直方向的孔洞顶点沿径向的速度基本恒定，由此提出了一个孔洞生长模型，可以解释孔洞增长的线性生长规律. 关键词： 纳米孔洞 分子动力学 冲击加载 位错     

安装偏差对光纤布喇格光栅应变测量的影响

通过理论推导和试验分析研究了安装偏差对光纤应变测量的影响，得到安装误差所带来测量误差的计算公式.发现光纤的轴向与预定安装方向的角偏差越大，测量误差也越大.用光纤光栅进行应变测量时，必须考虑光纤的安装偏差，它直接关系到测量结果的准确性.实际测量中要尽量确保传感器安装方位的准确.     

NA序列部分和的矩完全收敛性

讨论了NA序列部分和的矩完全收敛性,在一定条件下获得了NA序列矩完全收敛的充要条件,显示了矩完全收敛和矩条件之间的关系,将独立同分布随机变量序列矩完全收敛的结果推广到NA序列,得到了与独立随机变量序列情形类似的结果.     

The number of limit cycles of cubic Hamiltonian system with perturbation

In this paper, by using qualitative analysis, we investigate the number of limit cycles of perturbed cubic Hamiltonian system with perturbation in the form of (2n+2m) or (2n+2m+1)th degree polynomials . We show that the perturbed systems has at most (n+m) limit cycles, and has at most n limit cycles if m=1. If m=1, n=1 and m=1, n=2, the general conditions for the number of existing limit cycles and the stability of the limit cycles will be established, respectively. Such conditions depend on the coefficients of the perturbed terms. In order to illustrate our results, two numerical examples on the location and stability of the limit cycles are given.     

2006年高考物理实验试题特点及其对教学的启示

纵观今年全国及各省市高考命制的试题中，与物理相关的7套理科综合试卷和3套单科试卷，发现在课改理念指导下，具有许多共同特点，集中体现了注重基础知识、注重过程方法、重视五种能力考查等特点．《物理通报》从第6期开始，对每套物理试题的评析文章已作了详细讨论．本文则面向各套试题中的物理实验试题，进行横向系统分析，试图从总体上勾画出2006年高考命题在物理实验内容方面的基本思路，以期引起广大物理教师对此思考和研究．     

铝互连线的电迁移问题及超深亚微米技术下的挑战

铝互连线的电迁移问题历来是微电子产业的研究热点，其面临的电迁移可靠性挑战也是芯片制造业最持久和最重要的挑战之一.从20世纪90年代开始，超深亚微米(特征尺寸≤0.18 μm)铝互连技术面临了更加复杂的电迁移可靠性问题.从电迁移理论出发，分析概括了铝互连电迁移问题的研究方法，总结了上世纪至今关于铝互连电迁移问题的主要经验；最后结合已知的结论和目前芯片制造业现状，分析了当前超深亚微米铝互连线电迁移可靠性挑战的原因和表现形式，提出了解决这些问题的总方向. 关键词： 电迁移 铝互连 微结构     

特征与可解性

本文研究了具有不可约特征x使得x(1)²=|G:Z(G)|成立的群G的可解性,并证明了:对于这样的群G,当|Irr(G)|≤4时,G是可解群;当4<|Irr(G)|≤6时,在某些条件下,G是有解群.     

工作气压对电子束沉积ZrO2薄膜折射率和聚集密度的影响

采用电子束蒸发的方法，用石英晶体振荡法监控薄膜的蒸发速率，在不同工作气压下制备了ZrO2薄膜样品.在相调制型椭圆偏振光谱仪和分光光度计上对样品的光谱特性进行了测试.根据波长漂移的理论，计算出薄膜的聚集密度.结果表明，随着工作气压的降低，薄膜的聚集密度和折射率都随之增大.